VS-GB100LP120N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LP120N
| Artikelnummer: | VS-GB100LP120N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LP120N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB100LP120N.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A (Typ) Supplier Device-Gehäuse INT-A-PAK Serie - Leistung - max 658 W Verpackung / Gehäuse INT-A-Pak Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 7.43 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 1 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 A Konfiguration Single Grundproduktnummer GB100 VS-GB100LP120N Einzelheiten PDF [English] VS-GB100LP120N PDF - EN.pdf -
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